IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310
www.vishay.com
R G
V GS
V DS
Vishay Siliconix
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R G
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
S13-0165-Rev. D, 04-Feb-13
5
Document Number: 91272
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料
IRFR320TRRPBF MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRFR3412TRPBF MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFR3418TRPBF MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
IRFR3504TRPBF MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRFR3706CTRLPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR3706TRLPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR3707TRLPBF MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IRFR3707ZCTRLP MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
相关代理商/技术参数
IRFR310TRLPBFA 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR310TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310TRPBFA 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR310TRR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR310TRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310TRRPBFA 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR311 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-252AA
IRFR320 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube